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Indiumphosphid
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Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binΓ€ren III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik fΓΌr Laser fΓΌr die dΓ€mpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm ΓΌber Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darΓΌbercite-ref-3[3] und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund fΓΌr diese Einsatzbereiche ist die gegenΓΌber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.
Indiumphosphid besitzt eine direkte BandlΓΌcke, wodurch die Verbindung fΓΌr Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial fΓΌr photonische Kristalle.
Contents
β’ Vorkommen
β’ Eigenschaften
β’ Einzelnachweise
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Vorkommen
Gewinnung und Darstellung
InP-basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP-Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz, mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere GrenzflΓ€chen realisieren lassen.
Eigenschaften
Sicherheitshinweise
Einzelnachweise
cite-note-gestis-11. Eintrag zu Indiumphosphid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 10. Januar 2025. (JavaScript erforderlich)
cite-note-clp-100-040-856-21. Eintrag zu Indium phosphide in der Datenbank ECHA CHEM der EuropΓ€ischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 1. Februar 2016. Hersteller bzw. Inverkehrbringer kΓΆnnen die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
cite-note-33. β Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien (PDF; 149 kB). Pressemitteilung des Ferdinand-Braun-Instituts, 18. Dezember 2012.
cite-note-44. β Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid (engl.)